晶圓劃片是半導體芯片制造工藝流程中的一道必不可少的工序，在晶圓制造中屬后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒），稱之為晶圓劃片。

　　以現(xiàn)在我們所掌握的技術(shù)，目前我們只能在一種在半導體行業(yè)內(nèi)稱為 GPP (Glass passivation Process) 的工藝所生產(chǎn)的臺面二極管、方片可控硅、觸發(fā)管晶圓的劃片中應(yīng)用，與傳統(tǒng)的劃片工藝相比有較大優(yōu)勢，目前國內(nèi)有很多家工廠生產(chǎn)這種工藝制造的 GPP 晶圓及其成品。出于對產(chǎn)品質(zhì)量精益求精的高要求，多家工廠無論在產(chǎn)品研發(fā)、科學研究、質(zhì)量管理等方面，都不斷致力于尋求新的工藝以提高工作效率，從而為客戶提供更高質(zhì)量的產(chǎn)品。

在晶圓劃片行業(yè)，主要有兩種切割工藝，一個是傳統(tǒng)的刀片切割，另一個新型的現(xiàn)代工藝激光劃片。下面，將通過對比兩種切割工藝，證明激光劃片的優(yōu)勢。

　　最早的晶圓是用劃片系統(tǒng)進行劃片（切割）的，現(xiàn)在這種方法仍然占據(jù)了世界芯片切割市場的較大份額，特別是在非集成電路晶圓劃片領(lǐng)域。金剛石鋸片（砂輪）劃片方法是目前常見的晶圓劃片方法。原理：當工作物是屬于硬、脆的材質(zhì)，鉆石顆粒會以撞擊（Fracturing）的方式，將工作物敲碎，再利用刀口將粉末移除。

      存在的問題

● 刀片劃片直接作用于晶圓表面，在晶體內(nèi)部產(chǎn)生損傷，容易產(chǎn)生晶圓崩邊及晶片破損；

● 刀片具有一定的厚度，導致刀具的劃片線寬較大；

● 耗材大，刀片需每半個月更換一次；

● 環(huán)境污染大，切割后的硅粉水難處理。

　　由于激光在聚焦上的優(yōu)點, 聚焦點可小到亞微米數(shù)量級, 從而對晶圓的微處理更具優(yōu)勢, 可以進行小部件的加工。即使在不高的脈沖能量水平下, 也能得到較高的能量密度, 有效地進行材料加工。激光劃片屬于非接觸式加工，可以避免出現(xiàn)芯片破碎和其它損壞現(xiàn)象。

        加工優(yōu)勢
● 激光劃片采用的高光束質(zhì)量的光纖激光器對芯片的電性影響小，可提高的劃片成品率；
● 激光劃片速度快，高達150mm/s；
● 激光可以對不同厚度的晶圓進行作業(yè)，具有更好的兼容性和通用性；
● 激光可以切割一些較復(fù)雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等；
● 激光劃片不需要去離子水，不存在刀具磨損問題，并可連續(xù)24小時作業(yè)。

     客戶受益  

廈門實銳科技致力于為客戶提供全套的解決方案。在分析了客戶的工藝問題后，實銳建議客戶使用激光切割，激光切割是由激光束經(jīng)透鏡聚焦，在焦點處聚成一極小的光斑，可以達到幾十微米最小幾微米，將焦點調(diào)制到工件平面，當足夠功率的光束照射到物體上時，光能迅速轉(zhuǎn)換為熱能，會產(chǎn)生10000°C以上的局部高溫使工件瞬間熔化甚至汽化，從而將工件切割到我們需要的深度或者切透。

　　通過對比實銳激光晶圓劃片機和刀片機，我們得到以下數(shù)據(jù)：

相關(guān)應(yīng)用

經(jīng)過我們不斷的努力與設(shè)備升級，我們成功使用激光切割替代了刀片切割設(shè)備，可以滿足客戶電泳法、光阻法、刀刮法制作的GPP芯片，使客戶不僅提升了切割效率，更節(jié)省了成本，促進了整體效益的提升，現(xiàn)激光切割設(shè)備在客戶處穩(wěn)定生產(chǎn)已達3年之久。

應(yīng)用于半導體制造行業(yè)單、雙臺面玻璃鈍化二極管晶圓，單、雙臺面可控硅晶圓，IC晶圓切割等半導體晶圓片的切割劃片。

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